21 Мая 2015
GaN транзисторы на нитриде галлия обеспечивают качественный скачок в эффективности и мощности блоков питания и других подобных устройств. В сравнении с кремниевыми транзисторами, они имеют большую скорость переключения, и меньшее сопротивление канала. Благодаря этому, системы становятся компактнее, легче и требуют меньше охлаждения.Мощный каскодный транзистор на нитриде галлия NTP8G202N, рассчитан на напряжение до 600 В и обеспечивает сопротивление (RDSon) канала 290 мОм. Это одиночный N-канальный транзистор в корпусе TO-220. Аналогичный транзистор NTP8G206N имеет сопротивление канала 150 мОм.
Оба транзистора от ON Semiconductor соответствуют требования стандарта JEDEC и запущены в массовое производство.