23 Марта 2026
Ферроэлектрическая NAND-память, способная к 1000 многослойным структурам и снижающая энергопотребление до 96%, становится решением следующего поколения для решения проблем как дефицита предложения, так и энергопотребления, поясняет Sedaily. Ее революционный потенциал может объяснить, почему NVIDIA — компания, известная своими графическими процессорами — предприняла необычный шаг, присоединившись к исследованиям и разработкам будущей, еще не коммерциализированной технологии памяти, говорится в отчете.Что такое ферроэлектрическая NAND-память?
В отчете отмечается, что сегнетоэлектрические материалы могут поддерживать поляризованные состояния без высокого внешнего напряжения, позволяя электронам перемещаться между положительными и отрицательными полюсами для хранения цифровых нулей и единиц, в то время как традиционный кремний требует более высокого напряжения. Замена кремния сегнетоэлектрическими материалами может значительно снизить энергопотребление.
Потенциал этого материала побуждает Samsung активизировать соответствующие разработки. Согласно данным Управления интеллектуальной собственности, цитируемым Sedaily, Samsung лидирует в мире по патентам на сегнетоэлектрики с долей 27,8%, опережая Intel, TSMC и SK hynix.
Однако, поскольку коммерциализация сегнетоэлектрической NAND-памяти требует анализа сложных свойств материала и оптимизации структур устройств, Samsung и NVIDIA совместно представили инструмент искусственного интеллекта, который может анализировать производительность в 10 000 раз быстрее, чем традиционные методы. По данным Sedaily, традиционные TCAD-моделирования, широко используемые в отрасли, могут занимать около 60 часов на один запуск, в то время как новый ИИ сокращает это время до менее чем 10 секунд.
Прокладывая путь к 1000-слойной NAND-памяти
Как отмечается в отчете, в настоящее время Samsung использует технологию многослойной NAND-памяти, достигающую 200–300 слоев, при этом ферроэлектрическая технология рассматривается как ключ к масштабированию до 1000 слоев.
На данный момент Samsung, как сообщается, планирует к 2030 году перейти к 1000-слойной NAND-памяти. По данным The Bell, компания представила архитектуру продукта для этого следующего поколения NAND в конце февраля на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC).
Примечательно, что эта конструкция может рассматриваться как модернизированная версия NAND-памяти с вертикальным креплением (BV), объединяющая 4 пластины — 2 пластины с ячейками поверх 2 периферийных пластин — для преодоления предыдущих структурных ограничений, отмечается в отчете, добавляя, что Kioxia также проводит исследования под названием Multi-Stack CBA (CMOS, напрямую соединенная с массивом).
источник: Trendforce