Телефон:
+375 17 317 92 95
Факс:
+375 17 317 92 98
Моб.Тел:
+375 29 714 46 34
Поставка электронных компонентов, разработка и производство радиоэлектронных устройств

Наши услуги

Поставка электронных компонентов

Осуществляем поставки импортныхи отечественных электронных компонентов ведущих мировых производителей как напрямую, так и со складов крупнейших западных дистрибьюторов. Смотреть наличие на складе

Разработка и производство

Проектируем, разрабатываем и производим новые и усовершенствованные платы, узлы или блоки, применяемые в автомобилестроении (платы ABS систем для грузовых автомобилей) и связи (GPON, оптические мультиплексоры), игровых автоматов. Подробнее

Почему мы

Более 22 лет занимаемся
поставкой компонентов,
разработкой и производством
электронных устройств.
Собственный конструкторский
отдел, осуществляющий проектирование,
разработку и производство.
Мы хорошо знакомы с особенностями
и тонкостями производственного процесса.
Сертификат ISO9001,
подтверждающий высокое качество
предоставляемых услуг
По вопросам заказа наших услуг обращайтесь по контактным телефонам
Телефон:
+375 17 317 92 95
Факс:
+375 17 317 92 98
Смотреть все контакты

Статьи, новости

17 Апреля 2026

Китай добился прорыва в производстве 14-дюймовых кремниевых карбидов, что усилило глобальную конкуренцию на рынке крупноформатных кремниевых пластин.

11 марта компания Tiancheng Semiconductor объявила об успешной разработке монокристалла карбида кремния (SiC) размером 14 дюймов с использованием собственного оборудования, при этом эффективная толщина составила 30 мм. Этот прорыв знаменует собой переход Китая к производству крупногабаритных материалов из SiC — от «этапа внедрения 12-дюймовых кристаллов» к первому шагу на пути к коммерциализации 14-дюймовых кристаллов. Подробнее
15 Апреля 2026

Samsung рассматривает возможность использования 2-нм базового кристалла для HBM5 и 1D DRAM HBM5E; доля HBM4 на рынке превысит 50%.

Хотя массовое производство HBM4 только начинается в этом году, Samsung уже смотрит в будущее.
Выступая на конференции NVIDIA GTC, Хван Сан-джун, вице-президент и руководитель отдела разработки памяти в Samsung Electronics, заявил, что базовый кристалл HBM5 будет изготовлен по 2-нм техпроцессу Samsung Foundry, в отличие от 4-нм базовых кристаллов, используемых в HBM4 и HBM4E. Подробнее
13 Апреля 2026

Технологии NVIDIA Rubin Ultra и Feynman повысят эффективность SoIC-микросхем TSMC; выгоду получат также компании Besi, Applied Materials и TEL.

На конференции GTC компания NVIDIA представила планы по выпуску улучшенной версии Rubin Ultra в 2027 году, а также анонсировала архитектуру следующего поколения Feynman на 2028 год.
Технология SoIC (System on Integrated Chips) станет ключевой для TSMC в удовлетворении потребностей заказчиков в проектировании этих будущих платформ.
Благодаря вертикальному размещению кристаллов, SoIC может значительно повысить плотность транзисторов и помочь преодолеть ограничения закона Мура. Также отмечается, что Rubin Ultra будет состоять из семи чипов и пяти вариантов конфигурации стоек, а Feynman, как ожидается, будет использовать специализированную память HBM наряду с более плотными чиплетными конструкциями. Подробнее
10 Апреля 2026

Выход на китайский рынок LPU от NVIDIA может состояться уже в мае; возобновляется производство H200.

После недавней презентации на GTC своего LPU Groq 3, созданного на основе 4-нм техпроцесса Samsung для высокоскоростной обработки данных, NVIDIA уже планирует свои дальнейшие шаги.
Гигант в сфере производства чипов готовит версию своих чипов Groq AI, соответствующую требованиям китайского рынка, стремясь обойти экспортные ограничения и вернуться на китайский рынок. Подробнее
08 Апреля 2026

Состоялось начало производства первой в мире промышленной фабрики по производству 6-дюймовых фотонных чипов на основе InP.

Фосфид индия (InP), являясь критически важным полупроводником на основе соединений III-V группы, широко используется в передовых технологических областях, таких как оптическая связь, телевизоры на квантовых точках и космическая фотовольтаика, благодаря своей благоприятной ширине запрещенной зоны, исключительно высокой оптоэлектронной эффективности и превосходной теплопроводности. Подробнее
Читать все статьи, новости