17 Апреля 2026
В последнее время ряд компаний по всему миру активизировали усилия по разработке 12-дюймовых и 14-дюймовых монокристаллов и подложек из карбида кремния (SiC), создавая диверсифицированную конкурентную среду. За этой глобальной гонкой за большими размерами пластин стоит основная цель отрасли — снижение затрат, повышение эффективности и завоевание высокотехнологичных рынков в секторе широкозонных полупроводников.По сравнению с существующими основными 6-дюймовыми и 8-дюймовыми подложками из SiC, 12-дюймовые и более крупные пластины значительно увеличивают эффективную площадь кристалла при тех же условиях производства. Это не только снижает себестоимость производства одного кристалла, но и лучше поддерживает высокотехнологичные приложения, такие как силовые устройства и компоненты полупроводникового оборудования. Поэтому ожидается, что более крупные пластины будут играть решающую роль в технологической модернизации таких секторов, как электромобили, системы хранения энергии на основе фотоэлектрических элементов и центры обработки данных с использованием искусственного интеллекта.
По оценкам отрасли, 12-дюймовые подложки из SiC могут обеспечить более чем в три раза большую производительность кристалла на единицу площади по сравнению с 6-дюймовыми пластинами, при этом снижая общие затраты примерно на 40%. Внедрение 14-дюймовых пластин может еще больше усилить эти преимущества, подтолкнув SiC к новому этапу крупномасштабного промышленного применения.
Глобальная конкуренция в сегменте крупногабаритных SiC ускоряется
В 12-дюймовом сегменте ведущие китайские компании и новые игроки развиваются параллельно, формируя диверсифицированный конкурентный ландшафт:
San’an Optoelectronics: 12-дюймовые подложки из SiC были поставлены заказчикам для проверки.
SemiSiC: Разработчик первой в мире 12-дюймовой высокочистой полуизолирующей монокристаллической подложки из SiC, в настоящее время продвигает проект, направленный на ежегодное производство одного миллиона подложек из SiC.
Roshow: Объявила в феврале 2026 года о производстве своего первого 12-дюймового монокристаллического образца SiC.
HiMahines (дочерняя компания Hymson): Успешно разработала 12-дюймовый монокристаллический слиток SiC.
JSG (Jingsheng): В мае 2025 года компания совершила прорыв в выращивании 12-дюймовых проводящих монокристаллов SiC. К сентябрю того же года была запущена пилотная линия по производству 12-дюймовых пластин со 100% оборудованием отечественного производства, а в январе 2026 года достигнута ключевая техническая веха — равномерность толщины подложки (TTV) ≤ 1 мкм.
В глобальном масштабе «гонка размеров пластин» в SiC набирает обороты, и международные игроки также активно продвигаются вперед:
Wolfspeed: В январе 2026 года компания объявила о начале производства 300-мм (12-дюймовых) монокристаллических пластин SiC. Ее 300-мм платформа предназначена для поддержки как производства силовых устройств, так и разработки высокочистых полуизолирующих подложек.
SK Siltron: Запущен завод по производству кремниево-карбидных пластин в Бей-Сити, штат Мичиган, с ожидаемой годовой мощностью 60 000 пластин, в основном ориентированный на массовое производство 8-дюймовых пластин, в то время как разработка 12-дюймовых пластин продолжается.
Infineon: Запустил завод по производству кремниево-карбидных пластин в Малайзии, который может стать крупнейшим в мире предприятием по производству силовых полупроводниковых пластин из 200-мм (8-дюймовых) кремниево-карбидных пластин.
STMicroelectronics: Расширяет производство 8-дюймовых устройств на основе кремниево-карбидных пластин посредством совместного предприятия с San’an.
источник: Trendforce