06 Июля 2026
Компания Samsung официально представила план по внедрению 2-нм технологии MPW (многопроектной обработки на кремниевой пластине). В настоящее время компания наращивает массовое производство по 2-нм техпроцессу первого поколения (SF2), ориентируясь на более широкое применение в высокопроизводительных вычислениях, искусственном интеллекте и автомобильных полупроводниках, говорится в отчете.технология MPW позволяет изготавливать несколько вариантов дизайна чипов от разных компаний на одной пластине, что помогает компаниям, не имеющим собственных производственных мощностей, сократить затраты на прототипирование и проверить готовность к массовому производству.
Подробный план Samsung по MPW
Samsung ежегодно запускает программы MPW на различных техпроцессах. В 2024 и 2025 годах самый передовой техпроцесс, предлагаемый в рамках MPW, достиг 4 нм, согласно отчету.
Samsung также представила свой план работы по MPW на следующий год. По сообщениям, компания проведет в общей сложности 18 циклов MPW — семь для 2-нм и 4-нм техпроцессов и 11 для техпроцессов 5–28 нм — с возможностью дальнейшего расширения.
Samsung выразила твердую уверенность в своем прогрессе в области 2-нм техпроцесса, заявив, что активно ведет переговоры о сотрудничестве с несколькими крупными клиентами в сфере ИИ и высокопроизводительных вычислений и ожидает в ближайшем будущем добиться ощутимых результатов с некоторыми из них.
Хотя Google уже получила заказы на 2-нм техпроцесс от Tesla AI5 и AI6, Google ведет переговоры с Samsung Foundry о производстве ключевых компонентов для своего TPU 10-го поколения. В рамках предлагаемой модели производства TSMC будет заниматься основным вычислительным кристаллом на своем 1,4-нм техпроцессе, а Samsung будет отвечать за 2-нм кристалл ввода-вывода памяти — критически важный интерфейс, связывающий процессор с HBM, добавляется в отчете.
TSMC устанавливает новый стандарт на основе 2-нм техпроцесса CyberShuttle
Для сравнения, TSMC уже предлагает аналогичную услугу по доставке микросхем на основе MPW под брендом «CyberShuttle». Согласно предыдущему отчету TechNews, 2-нм техпроцесс был добавлен в CyberShuttle еще в 2025 году, что сделало его первым узлом компании, использующим архитектуру транзисторов GAA (gate-all-around).
цена 3-нм пластин составит около 20 000 долларов США, а цена 2-нм, как ожидается, вырастет до 24 000–25 000 долларов США, что усилит ценовое давление на небольшие компании, занимающиеся проектированием интегральных схем. На этом фоне утверждается, что CyberShuttle снижает затраты на ранних этапах разработки до 95%, значительно снижая барьеры для входа на рынок для небольших игроков.